Transistors contiennent matériau semi-conducteur pour amplifier et changer des signaux électroniques . Transistors bipolaires à jonction premières ont été créées avec du germanium comme seul matériau semi-conducteur. Finalement , le silicium est devenu le matériau de choix depuis silicium était capable de faire mieux que le germanium dans toutes les fonctions du transistor effectuée. Ainsi, il n'y a que quelques transistors réalisés aujourd'hui qui contiennent du germanium. Caractéristiques de base

transistors germanium ont un gain de courant allant de 50 à 300 avec une dissipation de puissance maximale (Pt) d'un maximum de 6 watts. Cependant, transistors au germanium fuient aussi quelques micro-ampères de courant. La fréquence de fonctionnement la plus élevée des transistors au germanium est un peu MHz. Ainsi, il n'est généralement pas utilisé au-dessus des fréquences de la gamme audio. Enfin , les transistors germanium ont une tension collecteur-émetteur maximale dans la plage de quelques dizaines de volts . Toutes ces caractéristiques ont été considérées comme significatives au cours des premières étapes de la production du transistor. Cependant, des transistors en silicium surpasser maintenant transistors germanium dans chaque catégorie unique.
Stabilité de température

transistors germanium n'ont pas la stabilité de température beaucoup plus . À des températures élevées , la fiabilité des transistors au germanium diminue de manière significative . Les plus chaudes ces transistors au germanium obtenir , le plus courant qu'ils passent . Ainsi, la quantité totale de fuites de courant , aussi appelé emballement thermique , augmente lorsque le transistor atteint des températures élevées. Cet emballement thermique peut détruire le transistor si le circuit n'est pas conçu pour gérer la situation. Cette instabilité de la température a été, dans certains cas, bénéfique. Cela est principalement dû à l'utilisation de transistors au germanium que les capteurs de température. Le courant étant passé est à peu près proportionnelle à la température du transistor.

Alliage Transistors diffus

La plupart des transistors au germanium sont de la classification diffusée en alliage . Cela signifie pastilles indium sont fusionnées de chaque côté d'une base de germanium de créer le transistor . Le processus de fusion provoque les atomes d'indium se mélanger avec des atomes de germanium pur , créant une petite partie du matériau où les atomes d'indium semble manquer un électron et d' avoir seulement trois liaisons . Il en résulte une fine couche de germanium de base entre deux pastilles d'indium . Les jonctions entre les deux matériaux sont désignés de la base /émetteur et la base /collecteur jonctions , avec le germanium étant la base dans les deux cas . La jonction base /collecteur peut facilement être identifié comme étant le plus grand des deux jonctions . C'est parce que la majorité de la chaleur générée dans le transistor est à ce carrefour et une plus grande surface permet à la chaleur de se dissiper supplémentaire .